・戻る

このページにはまだ図面の張り付けが済んでいません。　 あしからず

　このGaAs RFプリアンプは特に UHFに置いて低雑音が得られるように日立の最新技術で開発されたGaAs（ガリューム・ヒ素）FET3SK129を用いたRFプリアンプです。　設計 は、低雑音、高利得、高安定性、超小型、超低価格の各点について留意して行いました。
　回路図を第127-1図に示します。
　このプリアンプは共振回路の定数を変えることによっていろいろな周波数に対応する事ができます。各バンド毎の回路定数を第127-1表に示します。
　プリントパターンと部品取り付けずを第127-2図に示します。

　ガラス基板の上に所定の部品を乗せ、半田付けするだけで再現性の良い高性能のGaAs RFプリアンプができます。
　部品の取り付けは3SK129以外の部品から行い、全部取り付けた後に3SK129を半田付けしてください。これは3SK129(GaAs FET)が静電気に弱いことに対する配慮です。
　ただし、超小型設計のため、部品と部品の間隔が非常に狭いので半田がうまく流れなかったり、隣の部品のところまで流れてしまう（ブリッジ）という事故が 起こりやすいので充分注意して半田付けしてください。　
　配線後は虫めがね等を使って良くチェックしてください。

　(1)GaAs RFプリアンプに12Vの電源をつなぎ、入力にアンテナ、出力を受信機につなぎます。
　(2)希望周波数の中央周波数で感度が最大になるようにL1を調整します。この時受信する信号はなるべく弱い信号にしてください。
　(3)同じ信号で L2,L3を調整すれば感度、混変調特性が最高になります。
　(4)これらの特性を若干犠牲にして L2,L3をずらすことによって使用する帯域を広くする事ができます。その方法は……
　(5)希望周波数の下から 1/4の周波数にL2を調整します。
　(6)希望周波数の上から 1/4の周波数にL3を調整します。
　(7)(5),(6)の操作を数回繰り返します。

　(1)トランシーバに内装する場合：第127-3図を御覧ください。トランシーバにこのプリアンプを 組み込むスペースがあれば理想的な方法です。
　(2)外部で送受信を切り替える場合：回路は第127-4図のようになります。
　プリアンプの入出力にダイオードを図のようにいれることによって FETを保護する事ができます。（ただし、NFは若干上昇します）
　図ではアースラインが省略されていますが、アース線はなるべく太く、短く接続してください。
　(3)リニアアンプと同居する場合：第127-5図のように配線してください。

　(1)トランシーバから8Vの電源が得られる場合は、
第127-6図に示すように 3端子レギュレータを外し、その両端をブリッジしてください。
　(2)外部リレーを使う場合はできるだけ遅延回路を設けるか（寺子屋シリーズ156,157参照）小電力で使用してください。
　(3)プリアンプの入出力は1.5D2V程度の同軸ケーブルを使用してください。　尚、この場合でも基板のアースはできるだけ太く、短く設置してくださ い。
　(4)使用する FETは3SK129のほか、3SK113、3SK121でも同等の性能が得られます。
　(5)GaAs FETは静電気に弱いので使用中に雷が発生したときはできるだけ速やかにアンテナを外してください。