|
Sviluppo
- Per il bagno di sviluppo preparare una soluzione di soda caustica
(NaOH) di 5 ÷ 10 g/l con acqua comune; la concentrazione dipende dalla
temperatura del bagno: fra 15 °C e 20 °C ci vogliono almeno 10 g/l,
oltre i 30 °C non superare i 5 g/l. Non conviene lavorare a meno di
15 °C. La soluzione non si conserva a lungo e comunque deve essere
riposta in un contenitore, e non lasciata nella bacinella in cui si
sviluppa; infatti la soda caustica reagisce con l'anidride carbonica
presente nell'aria formando un precipitato bianco che ne peggiora
la resa. Conservare anche la soda caustica anidra in un contenitore
a chiusura ermetica.
- Immergere la basetta e muoverla lentamente sotto il pelo della
soluzione; appena il fotoresist si inizia a sciogliere levarlo tutto
e velocemente con un pennello e risciacquare con acqua comune.
- Asciugare con un cencio; può darsi che su di esso rimangano delle
tracce di fotoresist sviluppato, in tal caso sciacquare ancora e asciugare.
- mettere a seccare, possibilmente in un forno, ad almeno 60 °C,
il che dovrebbe anche indurire ulteriormente il fotoresist polimerizzato.
Se non si dispone di un forno può andare bene una piastra se il circuito
è singola faccia, altrimenti è meglio usare un getto di aria calda
(phon da capelli, non sverniciatori o termorestrinitori).
Se i risultati dello sviluppo non sono soddisfacenti può darsi
che ciò non sia da imputare esclusivamente al tempo di esposizione o
alla concentrazione e temperatura del bagno di sviluppo, ma anche allo
spessore del fotoresist e ad eventuali imperfezioni nella stesura di
quest'ultimo; alcuni tipi di sporco sulla basetta possono compromettere
il buon funzionamento di alcuni fotoresist, per questo è stata descritta
una meticolosa operazione di pulizia.
|
