TMOS器件原理

主要原理

ITMOS晶体管具有垂直道点滴电阻电流通道，在芯片的顶部有源栅两种电极金属，在底部有漏电极金属层。
 

  主要特点

• 高速，无少数载流子存储效应
• 源漏扇，栅极输入阻抗高达40MOHM,可用TTL、CMOS输出电平直接驱动
• 安全工作区大，无二次击穿效应