半导体技术发展史

1833年，法拉第发现硫化银（AgS）电阻率的负温度系数，是目前所知对物质半导体特性的最早发现。 1920年，硒（Se）整流器出现。
1947年，贝尔实验室的肖克莱（W.Shockley）、布拉顿（W.H.Brattain）和巴丁（J.Bardeen）发明晶体管并于1956 年获诺贝尔物理学奖。
1958年，江琪（L.Esaki<）发明了隧道二极管。
1959年，诺依斯（R.Noyce）研制成功了世界上第一块集成电路。
1962年，约瑟夫逊（B.D.Josephson）提出了超导隧道结。
1978年，采用2um工艺，集成元件数达10万个的 64K DRAM 研制成功。
1986年，16M DRAM 研制成功。
1991年，64M DRAM 研制成功。
1995年，1G DRAM 研制成功。
1999年，工作频率达650MHZ的 CPU问世。