当栅 G 电压 V_G 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 V_DS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 I_DS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 V_T 。当 V_GS>V_T 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 V_DS 下也将产生不同的 I_DS , 实现栅源电压 V_GS 对源漏电流 I_DS 的控制。