| Information
Suppl�mentaire Disponible |
 |
|
|
|
| Atlas Data Sheet |
T�l�vision Magazine Review |
EPE Magazine Review |
Atlas FAQs |
|
Features |
- Identification automatique des composantes
- Identification automatique des broches , connectez vos probes n'importe ou sur la
composante.
- Mesure le GAIN des transistors.
- Mesure le gain de coupure des MOSFETs power.
- D�tection des MOSFETs.
- Mesure le voltage inverse des diodes, LEDs et transistor a la Jonction
base-�metteur.
- D�tection des r�sistances shunt Base-�metteur.
- D�tection des diodes Collecteur-�metteur.
- Descriptions des diodes.R�seaux
- D�tection des courts circuit entre les 2 ou 3 jonctions.
- 2 Ligne d�roulante sur le LCD.
- Code de couleur sur les clips, maintenant plaqu� OR.
- Seulement 2 boutons de contr�le.
- Automatique ou manuel power-off.
- Batterie Alcaline fournie.
- Manuel utilisation complet fourni.
- Seulement 103mm x 70mm x 20mm
|
|
|
Composantes Support� |
- Transistor Bipolaire
- Diode prot�g� transistors (C-E)
- R�sistance shunt transistors (B-E)
- darlington
- Diodes
- Diode R�seau
|
- Mode Puissance MOSFETs
- Mode Standars MOSFETs
- Jonctions FETs (JFETs)
- Thyristors sensitif
- Triacs sensitif
- LEDs Standars et bi-couleur LEDs multiple
|
|
|
L'Atlas offre la fonctionnalit� sans �gal et le style. Sa possibilit� d'analyse est
plus grand que jamais, offrant l'exposition de message augment�e et l'identification
intelligente des composantes. Cette instrument superbe montre l'information incroyablement
d�taill�e dans des pages d�roulantes. L'Atlas combine une possibilit� d'analyse
impressionnant avec une facilit� utilisation in�gal�. Connectez votre composante de
n'importe quelle fa�on et laissez l'ATLAS faire le reste. Il mesurera le
gain des transistors, la tension cut-off de MOSFETs et des baisses de tension des
semi-conducteurs. Il identifiera m�me des particularit�s des composantes sp�ciales
comme la diode de protection sur des transistors ou la r�sistance shunt sur les
Darlingtons. Les nouveaux algorithmes d'analyse intelligentes vous donnerons la vie
beaucoup plus facile surtout si vous travaillez avec des composantes inconnues. Par
exemple, l'ATLAS vous dira s'il a d�tect� diff�rents types de r�seaux
de diode comme des types en s�rie, la cathode commune, l'anode commune et m�me des types
parall�les inverses. En addition, l'ATLAS reconna�t la diff�rence
entre des diodes normales et LED et il identifiera correctement et caract�risera les
models a deux terminal et trois terminal bi-couleurs LEDs.
Manuel en Fran�ais |
|
|
Sp�cification Sommaire des
caract�ristiques
| Param�tre |
Notes |
Min |
Nom |
Max |
Units |
| Peak test current into
short circuit (ISC) |
1 |
-5.5 |
|
5.5 |
mA |
| Peak test voltage across
open circuit (VOC) |
1 |
-5.0 |
|
5.0 |
V |
| Bipolar transistor
collector test current (IC) |
2 |
2.3 |
2.5 |
2.7 |
mA |
| Bipolar transistor
collector-emitter test voltage (VCEO) |
2 |
2.0 |
|
3.0 |
V |
| Bipolar transistor
measurable gain (HFE) |
3 |
4 |
|
65000 |
- |
| Bipolar gain accuracy |
2, 3 |
� 3% of reading � 5 HFE |
| EM MOSFET drain test
current (ID) |
|
|
2.5 |
|
mA |
| EM MOSFET drain-source
test voltage (VDS) |
|
2.0 |
|
3.0 |
V |
| EM MOSFET gate-source
voltage range (Vgs) |
|
0 |
|
5.0 |
mA |
| EM MOSFET gate-source
threshold accuracy |
|
|
4 |
|
% |
| Silicon diode junction
test current (IF) |
|
3.3 |
4.4 |
5.0 |
mA |
| Triac/Thyristor gate
current (IG) |
|
|
4.5 |
|
mA |
| Triac/Thyristor test
current |
|
|
4.5 |
|
mA |
| Dimensions |
|
103 x 70 x 20 |
mm |
|
|
|
